教师简介
物理系 宋春燕
发布时间：
2024-09-27
浏览量：
192
文章来源：
威尼斯432888cam
姓名：宋春燕 性别：女
邮箱：chunyansong@shzu.edu.cn 硕/博士生导师：硕士生导师
学历学位：博士 研究方向：宽禁带半导体、光电子学
个人简介
工作简历：宋春燕(Dr.SongChunyan)：博士，副教授，硕士生导师，威尼斯432888cam威尼斯432888cam工作。2019年获北京大学凝聚态物理博士学位。
科研领域：围绕宽禁带半导体材料，针对氮化镓基半导体材料及相关光电器件中的缺陷物理、理论计算模拟、材料物性分析和外延生长等开展研究工作，主持国家自然科学青年基金 1 项、参与负责完成国家自然科学新疆联合基金 1 项、作为负责和主要参与威尼斯432888cam高层次人才项目 3 项，参与国家自然科学地区基金 1 项。
研究成果：在 Journal of Alloys andCompounds 等物理重要期刊上发表国内外高水平论文20余篇，其中第一或通讯作者（含共同）发表10余篇；授权发明专利1项；参编教材2部。培养硕士研究生3人。
一、教学情况
教授课程：
研究生课程：物理学前沿专题
本科生课程：电磁学；半导体物理；固体物理学；大学物理；普物实验II
教研情况：
基于OBE理念的《固体物理学》教育教学改革研究，威尼斯432888cam，2020-2022，主持
课程思政建设课程-固体物理学，威尼斯432888cam，2021-2022，主持
威尼斯432888cam本科生教学研究优秀论文，2022
二、科学研究
国家自然科学基金-青年基金（62104162）：缓冲层碳杂质影响氮化镓外延薄膜可靠性的机理研究，主持，（2022.01-2024.12）
国家自然科学基金-新疆联合基金（U1803116）：石蜡/蛭石复合定形相变储能材料的稳定性与强化传热机制研究，乙方主持，（2019.01-2021.12）
威尼斯432888cam高层次人才项目（RCZK201922）：缓冲层碳浓度影响GaN基功率电子器件可靠性的机理研究，主持，（2020.6-2023.6）
三、主要代表性论文（*为通讯作者)
[1] Hongyu Ji, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Boyang Huang, Jiaming Qi.Exploration of the electronic structure and thermoelectric properties of the carbon-doped bulk GaN materials by first-principles calculations[J]. Next Materials, 2024, 4:100204.
[2] Boyang Huang, Hui Liao*, Chunyan Song*, Weihua Chen, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Hongyu Ji, Jiaming Qi, Tingting Song. Electronic structure, optical properties, and thermoelectric properties of Mg-doped GaN materials[J]. Solid State Communications, 2024, 390:115624.
[3] Hongyu Ji, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang and Weicheng Cao. Theoretical investigation of electronic structure and thermoelectric properties of CN point defects in GaN[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2023, 969:172358，
[4] Hui Liao, Chunyan Song, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Hongyu Ji and Boyang Huang. First principles study on the thermoelectric properties of GaN nanowires with CN point defects[J]. Results in Physics, 2023, 52:106896.
[5] Weicheng Cao, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang and Hongyu Ji. Numerical simulation analysis of carbon defects in the buffer on vertical leakage and breakdown of GaN on silicon epitaxial layers[J]. Scientific reports, 2023, 13:14820.
[6] Chunyan Song, Hui Liao, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Weicheng Cao. The role of point defects related with carbon impurity on the kink of log J-V in GaN-on-Si epitaxial layers[J]. Nanotechnology, 2022, 33:495702.
[7] ChunyanSong, XuelinYang*, DingWang, PanfengJi, ShanWu, Yue Xu, MaojunWang, BoShen*. The effect of kink and vertical leakage mechanisms in GaN-on-Si epitaxial layers[J]. Semicond.Sci.Technol, 2020, 35:085015.
[8] Chunyan Song, Xuelin Yang*, Panfeng Ji, Jun Tang, Shan Wu, Yue Xu, Ali Imran, Maojun Wang, Zhijian Yang, Fujun Xu, Xinqiang Wang, Weikun Ge, Bo Shen*. Impact of Silicon Substrate with Low Resistivity on Vertical Leakage Current InAlGaN/GaN HEMTs[J]. Appl. Sci., 2019, 9:2373.
[9] Anqi Hu,Chunyan Song#, Xuelin Yang*, Xiaoying He, Bo Shen*, Xia Guo*. Role of hole trapping in the unintentionally doped GaN layer in suppressing thetwo-dimensional electron gas degradation in AlGaN/GaN heterostructures on Si[J]. Nanotechnology, 2019, 30:314002.(共同一作)
[10] Chunyan Song, Xuelin Yang* , Panfeng Ji, Jun Tang, Anqi Hu, Yuxia Feng, Wei Lin, Weikun Ge, Zhijian Yang, Fujun Xu, Bo Shen*. Role of electroninjection on vertical leakage in GaN-on-Si epitaxial layers[J]. Superlattices andMicrostructures, 2019, 128:199-203.
四、著作及专利情况
国家发明专利
杨学林，沈波，宋春燕，纪攀峰，唐军，齐胜利，潘尧波.一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法. 专利号：CN201810768268.8, 授权公告日：2022.5.6
五、获奖及荣誉
指导大学生实验物理大赛国赛荣获国家级二等奖1项，三等奖1项，优秀奖1项
指导大学生物理学术竞赛荣获省级特等奖2项
指导大学生实验物理大赛荣获省级一等奖1项，二等奖4项，三等奖1项，优秀奖1项
指导全国三维数字化创新设计大赛荣获省级一等奖1项
指导大学生学术竞赛及物理实验大赛荣获校级优秀教师奖7项
指导SRP结题荣获校级优秀项目2项
指导本科生毕业论文荣获校级优秀1项
荣获校级课程思政优秀案例1项
六、学术交流情况
2023年第二十四届全国半导体物理学术会议（SPC2023），“CN点缺陷影响氮化镓的电子结构和热电性质的理论研究”
2021年“厚实基础、响应时代”威尼斯432888cam青年教师“星火”论坛，“硅上氮化镓基功率电子器件的漏电特性和缺陷态俘获效应研究”
2019年第三届新疆理论物理前沿学术研讨会，“Si上GaN基异质结及其器件中空穴俘获过程对沟道电流的影响”
2019年新疆、甘肃物理学会联合学术年会，“电子注入对 Si 上 GaN 垂直漏电和缺陷 态俘获效应的影响”
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物理系 宋春燕
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2024-09-27
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威尼斯432888cam
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姓名：宋春燕 性别：女
邮箱：chunyansong@shzu.edu.cn 硕/博士生导师：硕士生导师
学历学位：博士 研究方向：宽禁带半导体、光电子学
个人简介
工作简历：宋春燕(Dr.SongChunyan)：博士，副教授，硕士生导师，威尼斯432888cam威尼斯432888cam工作。2019年获北京大学凝聚态物理博士学位。
科研领域：围绕宽禁带半导体材料，针对氮化镓基半导体材料及相关光电器件中的缺陷物理、理论计算模拟、材料物性分析和外延生长等开展研究工作，主持国家自然科学青年基金 1 项、参与负责完成国家自然科学新疆联合基金 1 项、作为负责和主要参与威尼斯432888cam高层次人才项目 3 项，参与国家自然科学地区基金 1 项。
研究成果：在 Journal of Alloys andCompounds 等物理重要期刊上发表国内外高水平论文20余篇，其中第一或通讯作者（含共同）发表10余篇；授权发明专利1项；参编教材2部。培养硕士研究生3人。
一、教学情况
教授课程：
研究生课程：物理学前沿专题
本科生课程：电磁学；半导体物理；固体物理学；大学物理；普物实验II
教研情况：
基于OBE理念的《固体物理学》教育教学改革研究，威尼斯432888cam，2020-2022，主持
课程思政建设课程-固体物理学，威尼斯432888cam，2021-2022，主持
威尼斯432888cam本科生教学研究优秀论文，2022
二、科学研究
国家自然科学基金-青年基金（62104162）：缓冲层碳杂质影响氮化镓外延薄膜可靠性的机理研究，主持，（2022.01-2024.12）
国家自然科学基金-新疆联合基金（U1803116）：石蜡/蛭石复合定形相变储能材料的稳定性与强化传热机制研究，乙方主持，（2019.01-2021.12）
威尼斯432888cam高层次人才项目（RCZK201922）：缓冲层碳浓度影响GaN基功率电子器件可靠性的机理研究，主持，（2020.6-2023.6）
三、主要代表性论文（*为通讯作者)
[1] Hongyu Ji, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Boyang Huang, Jiaming Qi.Exploration of the electronic structure and thermoelectric properties of the carbon-doped bulk GaN materials by first-principles calculations[J]. Next Materials, 2024, 4:100204.
[2] Boyang Huang, Hui Liao*, Chunyan Song*, Weihua Chen, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Hongyu Ji, Jiaming Qi, Tingting Song. Electronic structure, optical properties, and thermoelectric properties of Mg-doped GaN materials[J]. Solid State Communications, 2024, 390:115624.
[3] Hongyu Ji, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang and Weicheng Cao. Theoretical investigation of electronic structure and thermoelectric properties of CN point defects in GaN[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2023, 969:172358，
[4] Hui Liao, Chunyan Song, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Hongyu Ji and Boyang Huang. First principles study on the thermoelectric properties of GaN nanowires with CN point defects[J]. Results in Physics, 2023, 52:106896.
[5] Weicheng Cao, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang and Hongyu Ji. Numerical simulation analysis of carbon defects in the buffer on vertical leakage and breakdown of GaN on silicon epitaxial layers[J]. Scientific reports, 2023, 13:14820.
[6] Chunyan Song, Hui Liao, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Weicheng Cao. The role of point defects related with carbon impurity on the kink of log J-V in GaN-on-Si epitaxial layers[J]. Nanotechnology, 2022, 33:495702.
[7] ChunyanSong, XuelinYang*, DingWang, PanfengJi, ShanWu, Yue Xu, MaojunWang, BoShen*. The effect of kink and vertical leakage mechanisms in GaN-on-Si epitaxial layers[J]. Semicond.Sci.Technol, 2020, 35:085015.
[8] Chunyan Song, Xuelin Yang*, Panfeng Ji, Jun Tang, Shan Wu, Yue Xu, Ali Imran, Maojun Wang, Zhijian Yang, Fujun Xu, Xinqiang Wang, Weikun Ge, Bo Shen*. Impact of Silicon Substrate with Low Resistivity on Vertical Leakage Current InAlGaN/GaN HEMTs[J]. Appl. Sci., 2019, 9:2373.
[9] Anqi Hu,Chunyan Song#, Xuelin Yang*, Xiaoying He, Bo Shen*, Xia Guo*. Role of hole trapping in the unintentionally doped GaN layer in suppressing thetwo-dimensional electron gas degradation in AlGaN/GaN heterostructures on Si[J]. Nanotechnology, 2019, 30:314002.(共同一作)
[10] Chunyan Song, Xuelin Yang* , Panfeng Ji, Jun Tang, Anqi Hu, Yuxia Feng, Wei Lin, Weikun Ge, Zhijian Yang, Fujun Xu, Bo Shen*. Role of electroninjection on vertical leakage in GaN-on-Si epitaxial layers[J]. Superlattices andMicrostructures, 2019, 128:199-203.
四、著作及专利情况
国家发明专利
杨学林，沈波，宋春燕，纪攀峰，唐军，齐胜利，潘尧波.一种降低氮化镓基外延层中漏电的结构及其制备方法. 专利号：CN201810768268.8, 授权公告日：2022.5.6
五、获奖及荣誉
指导大学生实验物理大赛国赛荣获国家级二等奖1项，三等奖1项，优秀奖1项
指导大学生物理学术竞赛荣获省级特等奖2项
指导大学生实验物理大赛荣获省级一等奖1项，二等奖4项，三等奖1项，优秀奖1项
指导全国三维数字化创新设计大赛荣获省级一等奖1项
指导大学生学术竞赛及物理实验大赛荣获校级优秀教师奖7项
指导SRP结题荣获校级优秀项目2项
指导本科生毕业论文荣获校级优秀1项
荣获校级课程思政优秀案例1项
六、学术交流情况
2023年第二十四届全国半导体物理学术会议（SPC2023），“CN点缺陷影响氮化镓的电子结构和热电性质的理论研究”
2021年“厚实基础、响应时代”威尼斯432888cam青年教师“星火”论坛，“硅上氮化镓基功率电子器件的漏电特性和缺陷态俘获效应研究”
2019年第三届新疆理论物理前沿学术研讨会，“Si上GaN基异质结及其器件中空穴俘获过程对沟道电流的影响”
2019年新疆、甘肃物理学会联合学术年会，“电子注入对 Si 上 GaN 垂直漏电和缺陷 态俘获效应的影响”
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