教师简介
物理系 廖辉
发布时间：
2024-09-25
浏览量：
209
文章来源：
威尼斯432888cam
姓名：廖辉 性别：男
职称：副教授 办公室：理化楼301
邮箱：lh_tea@shzu.edu.cn
学历学位：博士 硕/博士生导师：硕士生导师
研究方向：宽禁带半导体、光电子学
个人简介
工作简历：廖辉(Dr.Liao Hui)：博士，副教授，硕士生导师，威尼斯432888cam工作。2020年获北京大学凝聚态物理博士学位。
科研领域：研究方向为宽禁带半导体物理及光电子学。包括GaN基半导体材料、LED及LD相关光电器件物理，主要基于密度泛函理论开展GaN基材料及其低维结构中的点缺陷和复合缺陷的发光理论计算及物性研究。主持国家自然科学基金1项、参与国家自然科学基金1项、参与国家重点研发计划重点专项1项目、参与科学挑战专题1项。主持和参与威尼斯432888cam高层次人才项目科研基金3项。
研究成果：在 Applied Surface Science等物理重要期刊上发表国内外高水平论文20余篇，其中以第一作者或者通讯作者发表物理学术期刊SCI论文10余篇；授权发明专利1项；参编教材3部。培养硕士研究生2人。
一、教学情况
教授课程：
研究生课程：固体理论
本科生课程：电工学基础；半导体物理；大学物理；普物实验I；普物实验III；
教研情况：
课程思政建设课程-固体物理学，威尼斯432888cam，2021-2022，参与
二、科学研究
国家自然科学基金-地区基金（12264041）：氮化镓材料中碳相关点缺陷构筑及物性研究，主持，（2023.01-2026.12）
威尼斯432888cam高层次人才项目（RCZK202010）：氮化镓低维结构中的点缺陷发光研究，主持，（2021.01-2023.12）
三、主要代表性论文（*为通讯作者)
[1] Boyang Huang, Hui Liao*, Chunyan Song*, Weihua Chen, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Hongyu Ji, Jiaming Qi, Tingting Song. Electronic structure, optical properties, and thermoelectric properties of Mg-doped GaN materials[J]. Solid State Communications, 2024, 390:115624.
[2] Hongyu Ji, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Boyang Huang, Jiaming Qi.Exploration of the electronic structure and thermoelectric properties of the carbon-doped bulk GaN materials by first-principles calculations[J]. Next Materials, 2024, 4:100204.
[3] Hui Liao, Chunyan Song, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Hongyu Ji and Boyang Huang. First principles study on the thermoelectric properties of GaN nanowires with CN point defects[J]. Results in Physics, 2023, 52:106896.
[4] Hongyu Ji, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang and Weicheng Cao. Theoretical investigation of electronic structure and thermoelectric properties of CN point defects in GaN[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2023, 969:172358，
[5] Weicheng Cao, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang and Hongyu Ji. Numerical simulation analysis of carbon defects in the buffer on vertical leakage and breakdown of GaN on silicon epitaxial layers[J]. Scientific reports, 2023, 13:14820.
[6] Hui Liao, Peijun Wen, Guo Yu. Micro-Raman Investigation on the Size Effects of Surface Optical Phonon Modes in Single Cone-Shape InGaN/GaN Microrods [J]. Applied Surface Science, 2020, 512:145656.
[7] Hui Liao, Tiantian Wei, Hua zong, Shengxiang Jiang. Raman investigation on the surface carrier concentration of single GaN microrod grown by MOCVD [J]. Applied Surface Science, 2019, 489:346-350.
[8] Hui Liao, Junchao Li, Tiantian Wei, Peijun Wen. First-principles study of CN point defects on sidewall surface of [0 00 1]-oriented GaN nanowires [J]. Applied Surface Science, 2019, 468:293-297.
四、著作及专利情况
国家发明专利
廖辉，温培钧，胡晓东. 利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件. 专利号：CN 108831969 B, 授权公告日：2020.2.11
五、获奖及荣誉
指导大学生研究训练计划（SRP）项目，荣获优秀项目（2024年）。
指导本科生参加第十四届中国大学生物理学术竞赛（作品赛），荣获一等奖（2023年）。
指导本科生参加中国大学生物理学术竞赛（西北赛区），荣获一等奖（2023年）。
指导本科生参加第九届全国大学生物理实验竞赛，荣获二等奖（2023年）。
指导本科生参加第一届西北地区大学生物理实验竞赛，荣获二等奖（2023年）。
指导本科生参加第十四届“格致杯”物理师范生教学技能大赛，荣获三等奖（2023年）。
指导本科生参加第二届新疆大学生物理实验竞赛，荣获优秀奖（2023年）。
指导本科生参加第八届全国大学生物理实验竞赛，荣获优秀奖（2022年）。
指导本科生参加第四届新疆大学生物理学术竞赛，荣获特等奖（2021年）。
指导本科生参加第七届全国大学生物理实验竞赛，荣获一等奖（2021年）。
六、学术交流情况
2023年第二十四届电子封装技术国际会议(ICEPT 2023)，“Simulation Study on Temperature Field of Packaged High Power GaN Laser Diode”,2023.08
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物理系 廖辉
发布时间：
2024-09-25
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威尼斯432888cam
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小
姓名：廖辉 性别：男
职称：副教授 办公室：理化楼301
邮箱：lh_tea@shzu.edu.cn
学历学位：博士 硕/博士生导师：硕士生导师
研究方向：宽禁带半导体、光电子学
个人简介
工作简历：廖辉(Dr.Liao Hui)：博士，副教授，硕士生导师，威尼斯432888cam工作。2020年获北京大学凝聚态物理博士学位。
科研领域：研究方向为宽禁带半导体物理及光电子学。包括GaN基半导体材料、LED及LD相关光电器件物理，主要基于密度泛函理论开展GaN基材料及其低维结构中的点缺陷和复合缺陷的发光理论计算及物性研究。主持国家自然科学基金1项、参与国家自然科学基金1项、参与国家重点研发计划重点专项1项目、参与科学挑战专题1项。主持和参与威尼斯432888cam高层次人才项目科研基金3项。
研究成果：在 Applied Surface Science等物理重要期刊上发表国内外高水平论文20余篇，其中以第一作者或者通讯作者发表物理学术期刊SCI论文10余篇；授权发明专利1项；参编教材3部。培养硕士研究生2人。
一、教学情况
教授课程：
研究生课程：固体理论
本科生课程：电工学基础；半导体物理；大学物理；普物实验I；普物实验III；
教研情况：
课程思政建设课程-固体物理学，威尼斯432888cam，2021-2022，参与
二、科学研究
国家自然科学基金-地区基金（12264041）：氮化镓材料中碳相关点缺陷构筑及物性研究，主持，（2023.01-2026.12）
威尼斯432888cam高层次人才项目（RCZK202010）：氮化镓低维结构中的点缺陷发光研究，主持，（2021.01-2023.12）
三、主要代表性论文（*为通讯作者)
[1] Boyang Huang, Hui Liao*, Chunyan Song*, Weihua Chen, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Hongyu Ji, Jiaming Qi, Tingting Song. Electronic structure, optical properties, and thermoelectric properties of Mg-doped GaN materials[J]. Solid State Communications, 2024, 390:115624.
[2] Hongyu Ji, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Boyang Huang, Jiaming Qi.Exploration of the electronic structure and thermoelectric properties of the carbon-doped bulk GaN materials by first-principles calculations[J]. Next Materials, 2024, 4:100204.
[3] Hui Liao, Chunyan Song, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang, Hongyu Ji and Boyang Huang. First principles study on the thermoelectric properties of GaN nanowires with CN point defects[J]. Results in Physics, 2023, 52:106896.
[4] Hongyu Ji, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang and Weicheng Cao. Theoretical investigation of electronic structure and thermoelectric properties of CN point defects in GaN[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2023, 969:172358，
[5] Weicheng Cao, Chunyan Song*, Hui Liao*, Ningxuan Yang, Rui Wang, Guanghui Tang and Hongyu Ji. Numerical simulation analysis of carbon defects in the buffer on vertical leakage and breakdown of GaN on silicon epitaxial layers[J]. Scientific reports, 2023, 13:14820.
[6] Hui Liao, Peijun Wen, Guo Yu. Micro-Raman Investigation on the Size Effects of Surface Optical Phonon Modes in Single Cone-Shape InGaN/GaN Microrods [J]. Applied Surface Science, 2020, 512:145656.
[7] Hui Liao, Tiantian Wei, Hua zong, Shengxiang Jiang. Raman investigation on the surface carrier concentration of single GaN microrod grown by MOCVD [J]. Applied Surface Science, 2019, 489:346-350.
[8] Hui Liao, Junchao Li, Tiantian Wei, Peijun Wen. First-principles study of CN point defects on sidewall surface of [0 00 1]-oriented GaN nanowires [J]. Applied Surface Science, 2019, 468:293-297.
四、著作及专利情况
国家发明专利
廖辉，温培钧，胡晓东. 利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件. 专利号：CN 108831969 B, 授权公告日：2020.2.11
五、获奖及荣誉
指导大学生研究训练计划（SRP）项目，荣获优秀项目（2024年）。
指导本科生参加第十四届中国大学生物理学术竞赛（作品赛），荣获一等奖（2023年）。
指导本科生参加中国大学生物理学术竞赛（西北赛区），荣获一等奖（2023年）。
指导本科生参加第九届全国大学生物理实验竞赛，荣获二等奖（2023年）。
指导本科生参加第一届西北地区大学生物理实验竞赛，荣获二等奖（2023年）。
指导本科生参加第十四届“格致杯”物理师范生教学技能大赛，荣获三等奖（2023年）。
指导本科生参加第二届新疆大学生物理实验竞赛，荣获优秀奖（2023年）。
指导本科生参加第八届全国大学生物理实验竞赛，荣获优秀奖（2022年）。
指导本科生参加第四届新疆大学生物理学术竞赛，荣获特等奖（2021年）。
指导本科生参加第七届全国大学生物理实验竞赛，荣获一等奖（2021年）。
六、学术交流情况
2023年第二十四届电子封装技术国际会议(ICEPT 2023)，“Simulation Study on Temperature Field of Packaged High Power GaN Laser Diode”,2023.08
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